Héich zouverlässeg an Self-entworf D2PAK (TO-263) SiC Diode
Virdeeler vum YUNYI's D2PAK (TO-263) SiC Diode:
1. Niddereg inductance
2. Kompetitiv Käschte mat héijer Qualitéit.
3. Héich Produktiounseffizienz mat kuerzer Leadzäit.
4. Kleng Gréisst, hëlleft de Circuit Board Raum ze optimiséieren
Schrëtt vun der Chip Produktioun:
1. Mechanesch Dréckerei (Super-präzis automatesch Wafer Dréckerei)
2. Automatesch Éischt Ätzen (Automatesch Ätsausrüstung, CPK> 1.67)
3. Automatesch Polaritéitstest (präzis Polaritéitstest)
4. Automatesch Assemblée (Selbst entwéckelt Automatesch Präzis Assemblée)
5. Soldering (Schutz mat Mëschung aus Stickstoff a Waasserstoff Vakuum Soldering)
6. Automatesch Second-Etching (Automatesch Second-Etching mat Ultra-pure Waasser)
7. Automatesch Gluing (Uniform Gluing & Precise Berechnung ginn duerch Automatesch Präzis Gluing Ausrüstung realiséiert)
8. Automatesch Thermaltest (Automatesch Selektioun vum Thermal Tester)
9. Automatesch Test (Multifunktionell Tester)
Produit Parameteren:
Deel Zuel | Package | VRWM V | IO A | IFZM A | IR μa | VF V |
ZICRB5650 | D2PAK | 650 | 5 | 60 | 60 | 2 |
ZICRB6650 | D2PAK | 650 | 6 | 60 | 50 | 2 |
Z3D06065G | D2PAK | 650 | 6 | 70 | 3 (0,03 typesch) | 1.7 (1.5 typesch) |
ZICRB10650CT Ubidder | D2PAK | 650 | 10 | 60 | 60 | 1.7 |
ZICRB10650 | D2PAK | 650 | 10 | 110 | 100 | 1.7 |
Z3D10065G | D2PAK | 650 | 10 | 115 | 40 (0,7 typesch) | 1.7(1.45 typesch) |
ZICRB20650A Ubidder | D2PAK | 650 | 20 | 70 | 100 | 1.7 |
ZICRB101200 | D2PAK | 1200 | 10 | 110 | 100 | 1.8 |
ZICRB12600 | D2PAK | 600 | 12 | 50 | 150 | 1.7 |
ZICRB12650 | D2PAK | 650 | 12 | 50 | 150 | 1.7 |
Z3D30065G | D2PAK | 650 | 30 | 255 | 140 (4 typesch) | 1.7 (1.4 typesch) |
Z4D05120G | D2PAK | 1200 | 5 | 19 | 200 (20 typesch) | 1.8(1.65 typesch) |
Z4D20120G | D2PAK | 1200 | 20 | 162 | 200 (35 typesch) | 1,8 (1,5 typesch) |
Z3D20065G | D2PAK | 650 | 20 | 170 | 50 (1,5 typesch) | 1.7(1.45 typesch) |
Z3D06065L | DFN8×8 | 650,0 | 6.0 | 70,0 | 3 (0,03 typesch) | 1.7 (1.5 typesch) |