Héich thermesch Conductivity DPAK (TO-252AA) SiC Diode

Kuerz Beschreiwung:

Verpackungsstruktur: DPAK (TO-252AA)

Aféierung: YUNYI DPAK (TO-252AA) SiC Diode, déi aus Siliziumkarbidmaterialien gemaach gëtt, huet eng héich thermesch Konduktivitéit a staark Fäegkeet fir Hëtzt z'iwwerdroen, méi förderlech fir d'Kraaftdicht vum Stroumapparat ze verbesseren, sou datt et méi gëeegent ass fir schaffen an engem héich Temperatur Ëmfeld.Déi héich Decompte Feldstäerkt vu SiC Dioden erhéicht d'Widderstandspannung a reduzéiert d'Gréisst, an déi héich elektronesch Decompte Feldstäerkt erhéicht d'Decomptespannung vun Halbleiterkraaftapparater.Zur selwechter Zäit, wéinst der Erhéijung vun der Elektronen Decompte Feldstäerkt, am Fall vun der Erhéijung vun der Gëftstoffpenetratiounsdicht, kann de Breetband vun der Driftregioun vum SiC Diode Kraaftapparat reduzéiert ginn, sou datt d'Gréisst vum Stroumapparat reduzéiert kënne ginn.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Iwwerwachung Äntwert Zäit

Miessbereich

Produit Tags

Merites vum YUNYI's DPAK (TO-252AA) SiC Diode:

1. Kompetitiv Käschte mat héijer Qualitéit

2. Héich Produktiounseffizienz mat kuerzer Leadzäit

3. Kleng Gréisst, hëlleft de Circuit Board Raum ze optimiséieren

4. Stabil an zouverlässeg ënner verschiddenen natierlechen Ëmfeld

5. Self-entwéckelt niddereg-Verloscht Chip

Prozedure vun der Chip Produktioun:

1. Mechanesch Dréckerei (Super-präzis automatesch Wafer Dréckerei)

2. Automatesch Éischt Ätzen (Automatesch Ätsausrüstung, CPK> 1.67)

3. Automatesch Polaritéitstest (präzis Polaritéitstest)

4. Automatesch Assemblée (Selbst entwéckelt Automatesch Präzis Assemblée)

5. Soldering (Schutz mat Mëschung vu Stickstoff a Waasserstoff Vakuum Soldering)

6. Automatesch Second-Etching (Automatesch Second-Etching mat Ultra-pure Waasser)

7. Automatesch Gluing (Uniform Gluing & Precise Berechnung ginn duerch Automatesch Präzis Gluing Ausrüstung realiséiert)

8. Automatesch Thermaltest (Automatesch Selektioun vum Thermaltester)

9. Automatesch Test (Multifunktionell Tester)

Produit Parameteren:

Deel Zuel	Package	VRWM V	IO A	IFZM A	IR μa	V_F V
ZICRD5650	DPAK	650	5	60	60	2
ZICRD6650	DPAK	650	6	60	50	2
Z3D06065E	DPAK	650	6	70	3 (0,03 typesch)	1.7 (1.5 typesch)
ZICRD10650CT Ubidder	DPAK	650	10	60	60	1.7
ZICRD 10650	DPAK	650	10	110	100	1.7
ZICRD101200	DPAK	1200	10	110	100	1.8
ZICRD 12600	DPAK	600	12	50	150	1.7
ZICRD12650	DPAK	650	12	50	150	1.7
Z3D03065E	DPAK	650	3	46	2 (0,03 typesch)	1.7 (1.4 typesch)
Z3D10065E	DPAK	650	10	115	40 (0,7 typesch)	1.7(1.45 typesch)
Z4D04120E	DPAK	1200	4	46	200 (20 typesch)	1,8 (1,5 typesch)
Z4D05120E	DPAK	1200	5	46	200 (20 typesch)	1.8(1.65 typesch)
Z4D02120E	DPAK	1200	2	44	50 (10 typesch)	1,8 (1,5 typesch)
Z4D10120E	DPAK	1200	10	105	200 (30 typesch)	1,8 (1,5 typesch)
Z4D08120E	DPAK	1200	8	64	200 (35 typesch)	1.8(1.6 typesch)
Z3D10065E2	DPAK	650	10	70 (pro Been)	8(0,002 typesch)(pro Been)	1,7 (1,5 typesch) (pro Been)