Ultra-steady Surface Mount PAR® Transient Voltage Suppressoren (TVS) DO-218AB SM8S
Virdeeler vum DO-218AB SM8S:
1. Duerch d'Technologie vun der chemescher Ätsmethod sinn déi negativ Resultater vun direkte Schneidmëttelen eliminéiert.
2. Mächteg an ëmgedréint Iwwerschwemmung wéinst gréisseren Chip wéi Géigespiller.
3. Extrem niddereg Ausfallquote a verschiddene Wieder a Gebidder
4. Genehmegt vun AEC-Q101 Norm
5. Diode Funktiounen sinn optimiséiert, profitéiert vum wëssenschaftleche Schutz op PN Kräizung.
PRIMÄR Charakteristiken:
VBR: 11,1 V bis 52,8 V
VWM: 10 V bis 43 V
PPPM (10 x 1000 μs): 6600 W
PPPM (10 x 10 000 μs): 5200 W
PD: 8 W
IFSM: 700 A
TJ max.: 175 °C
Polaritéit: Unidirectional
Package: DO-218AB
Prozedure vun Chip Produktioun
1. Automatesch Dréckerei(Ultra-präzis automatesch Wafer Dréckerei）
2. Automatesch Éischt-Ätzen(Automatesch Ätsausrüstung, CPK> 1.67)
3. Automatesch Polaritéitstest (präzis Polaritéitstest)
4. Automatesch Assemblée (Selbst entwéckelt Automatesch Präzis Assemblée)
5. Soldering (Schutz mat Mëschung vu Stickstoff & Waasserstoff
Vakuum Soldering)
6. Automatesch Second-Etching (Automatesch Second-Etching mat Ultra-pure Waasser)
7. Automatesch Gluing (Uniform Gluing & Precise Berechnung ginn duerch Automatesch Präzis Gluing Equipment realiséiert)
8. Automatesch Thermaltest (Automatesch Selektioun vum Thermal Tester)
9. Automatesch Test (Multifunktionell Tester)
